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村田荣获IEEE Milestone奖
- 村田荣获IEEE Milestone奖株式会社村田制作所（以下简称“村田本公司”）已将使用镍内部电极的多层陶瓷电容器（以下简称“Ni-MLCC”）商品化，为工业产业发展做出了贡献，因此荣获了全球电气电子领域超大规模的国际学会IEEE*1颁发的“IEEE Milestone奖”。*1 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.IEEE Milestone奖设立于1983年，是一项旨在对电气电子领域的突破性创新的历史性业绩进行认定的制
- 关键字： 村田 IEEE Milestone
贸泽供应适用于Matter IoT应用的模组
- 2024年2月22日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供货Espressif Systems的ESP32-H2-MINI-1x模组。ESP32-H2-MINI-1x模组是功能强大的通用低功耗蓝牙和IEEE 802.15.4组合模组，经优化兼容Matter。Matter是一种基于IP的行业统一连接协议，可简化IoT应用的开发，还能无缝集成到智能家居、工业自动化、消费电子、智慧农业、医疗保健等各种生态系
- 关键字： 贸泽 Matter IEEE 802.15.4模组
英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管，三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管（CFET），摆脱摩尔定律的下一个目标。
- 在本周的IEEE国际电子器件大会上，台积电展示了他们对CFET（用于CMOS芯片的逻辑堆栈）的理解。 CFET是一种将CMOS逻辑所需的两种类型的晶体管堆叠在一起的结构。在本周的旧金山IEEE国际电子器件大会上，英特尔、三星和台积电展示了他们在晶体管下一次演变方面取得的进展。芯片公司正在从自2011年以来使用的FinFET器件结构过渡到纳米片或全围栅极晶体管。名称反映了晶体管的基本结构。在FinFET中，栅通过垂直硅鳍控制电流的流动。在纳米片器件中，该鳍被切割成一组带状物，每个带状物都被栅包围。 CFET
- 关键字： CFET IEEE 台积电，三星，英特尔
POE网口供电设备的负载装置实现方法
- 本文介绍了以太网网口的基础，POE的工作原理和工作过程。介绍了一种PD设备电源管理芯片LTC4257 −1的内部结构和工作原理，并根据其工作原理实现一种符合GB4943.1− 2011标准要求的辅助测试设备，能让POE网口满功率输出的受电设备负载装置。
- 关键字： IEEE 802.3af标准 POE 供电设备 受电设备 LTC4257 −1芯片 负载装置 202111
IEEE2020年12大技术趋势：边缘计算、量子计算、AI等
- 以下是对2020年12大技术趋势的预测。IEEE计算机协会自2015年以来一直在预测技术趋势，其年度预测因权威性而受到广泛关注。在每年年底，协会还使用计分卡或报告卡对年度预测进行评级，这个评级也吸引了与预测本身一样广泛的受众。十二大技术趋势1. 边缘人工智能（AI）（AI @ Edge）。在过去的十年中，我们与云之间的日常交互见证了机器学习（ML）的爆炸式增长。大量众包标签数据的可用性，以较低成本获得的计算机计算效率的提高以及机器学习算法的进步奠定了这一突破的基础。随着技术的改进，自动执行许多活动变得足够
- 关键字： IEEE、2020、技术趋势
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